AI伺服器与高效能运算晶片（HPC）功耗整合度持续提升，先进封装中对电源完整性与高速讯号稳定度的要求同步提高，供应链透露，爱普（6531）S-SiCap矽电容产品，已切入台积电与日月光CoWoS相关先进封装供应链，用于美系云端大咖ASIC晶片等当红领域，业绩迎来爆发期。

业界分析，爱普打入CoWoS供应链，关键在解决CoWoS架构演进下的结构性痛点。目前CoWoS技术正朝CoWoS-L与CoWoS-R等新架构演进，其中，CoWoS-R采用有机重分布层（RDL）取代传统矽中介层，无法进行深沟槽制程，CoWoS-L则以局部矽互连（LSI）搭配 RDL 混合设计，仅在有限区域可配置电容。

换言之，过去仰赖在中介层「不断挖深、挖窄」来提升电容密度的作法，正逐步逼近物理与制程极限，爱普的矽电容产品能作为全新的解决方案。

业界说明，爱普的S-SiCap Gen3产品已在CoWoS-S应用中率先量产，并承接部分外溢订单，最新一代Gen4电容密度再提升逾五成，且已导入嵌入式基板设计，瞄准未来CoWoS-L与高功耗ASIC封装需求，相较传统深沟槽电容，S-SiCap在厚度更薄、单位面积电容密度更高，亦更有利于系统级整合。

爱普总经理洪志勋曾说，随著AI与高效能运算应用快速成长，市场对电源完整性与高速讯号传输的要求日益严苛，爱普透过S-SiCap产品线，将矽电容以分离式及中介层方式整合于各类先进封装架构，兼具高效能、高整合度与设计弹性，满足新世代AI与HPC系统的需求。

在产品策略上，爱普并未押注单一路线，而是同步布局IPC（Interposer with Silicon Capacitor）与IPD（Embedded Substrate） 两种应用型态。

其中，IPC著重于中介层内的高密度电容整合，已完成客户端封装与可靠度验证，并进入多reticle放大量产；IPD则锁定基板嵌入应用，每片基板可配置数十至上百颗矽电容，市场规模与长期成长性更受瞩目。

随著CoWoS-L与新一代AI ASIC陆续导入，矽电容在先进封装中的角色持续放大，爱普已与一线晶圆代工与封测厂建立合作关系，透过制程伙伴完成量产验证，供应链地位逐步确立，也有望为后续营运带来强大动能。