晶豪科（3006）近期股价一路走扬，上周五（2日）亮灯攻上涨停129.5元，终场也以涨停作收、上涨11.5元，成交量3.28万张。
从线型结构来看，短期均线延续多头排列，5日线111.62元高于10日线98.84元、10日线再高于20日线89.98元，短线买盘仍偏向追价。技术指标方面，MACD为3.40、DIF为7.94；KD指标则显示高档续强，K值94.61、D值87.99。
筹码面上，外资近期追买力道强劲，近五日买超逾2.2万张；三大法人近十日买超逾3.6万张，成为推升股价续强的主要动能。
晶豪科股价从去年12月16日收盘78.3元开始，一路推升到站上129元，主要受惠「记忆体涨价外溢」的重估行情。DRAM产业有一段时间价格不振，厂商库存不高，也无加开产能意愿，但随记忆体三大原厂将产能转往高频宽记忆体（HBM）后，传统DRAM与NAND反因市场逐步缺货，出现供不应求状况，成熟制程的SLC NAND与NOR Flash也传出今年首季持续上涨。
市场实际需求也推升晶豪科获资金重视，包括去年第3季在销售量与均价回温下，毛利率回升至12.9%，并受惠平均单价上扬、存货跌价损失回冲1.93亿元与新台币汇率回贬等因素带动，单季每股纯益0.05元；晶豪科11月合并营收14.11亿元、月增19.7%、年增33.8%，写下近41个月新高，去年第4季售价小幅上扬、营收动能增温下，法人估计本业上季有机会由亏转盈。
晶豪科近期公告去年11月自结税后纯益2.57亿元、年增1,686%，每股纯益0.92元，主要受惠DRAM报价走扬带动。在营收拉升、产品价格上行与毛利率回温的组合拳下，市场对晶豪科「亏转盈」的确定性提升，资金也更愿意用更高的本益比去评价。
展望后市，市场焦点转向「涨价能否延续、补涨能否落袋」。DDR3、DDR4售价可望自本季起强弹，晶豪科有望受惠主力产品线补涨，并在2026年更充分反映在产品售价上；法人亦评估其获利有机会挑战2021年以来的五年新高。记忆体供给面因产能与投片配置变化而出现紧缩效应，DDR3价格走势与需求动能成为观察晶豪科今年营运的关键变数。
后续仍须留意两个现实变数：其一是记忆体景气上行周期是否如预期延续，其二是中国大陆供应链国产化对订单结构的影响速度与范围。在题材面热度高、财报数字开始跟上的阶段，晶豪科短线评价已被快速拉升，接下来市场更看重的，将是今年上半年报价与出货能否持续从「转盈」推进到「获利扩大」。
选股原则
5日均价大于10日均价，10日均价大于20日均价，近十日三大法人买超逾3.6万张。
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