摩根大通（小摩）证券发布报告指出，华邦电（2344）受惠动态随机存取记忆体（DRAM）前景改善，目标价从70元上调到83元，维持「优于大盘」的评等；DRAM合约价格可望持续上涨至第2季，下半年DRAM合约价格走势将会是华邦电股价变动的重要关键。

小摩将华邦电2026年及2027年预估每股税后纯益（EPS）上调40%，分别为6.3元及5.8元。AI需求强劲，挤压传统DRAM的供给。伺服器需求畅旺，将持续推动 DDR4 的消耗，进一步带动华邦电产品出货、价格与升级。

小摩指出，华邦电在2025年第4季至2026年第1季的DDR4合约价涨幅将高于原先预期。由于基期垫高，预估第2季价格涨幅介于4~6%，下半年则持平。涨价主要动能仍然是国际厂商的DDR4供给缩减，加上伺服器的需求强劲。依小摩估计，伺服器可能占DDR4市场需求的50%以上。

此外，小摩指出，华邦电正在扩展DDR4产品组合，以增加可服务市场（SAM）。华邦电有望在第1季依计划量产 DDR4 8Gb，并正在开发DDR4 16Gb，以应用于伺服器。

部分市场人士担心，在今年某个时点，由于记忆体规格下修或装置出货疲软，DRAM企业对个人（B2C）需求可能走弱，因而降低DDR4价格。小摩认为这对短期内DDR4的供给紧缩，以致市场短缺影响较小，但同意这项因素值得在今年持续观察。

华邦电2025年第3季EPS为0.65元，终结连四季亏损。小摩估计，在2025年第4季，受惠于DRAM占营收比重40%，华邦电第4季营收可望达0.82元，2025年全年EPS预估为0.94元。在2026年，华邦电每季EPS从1元起跳，可望逐季上扬，全年累积到6.3元，优于彭博资讯调查的4.6元法人共识。

小摩基于对华邦电2026年的预估获利，将预估股价净值比从2.6倍上调到2.9倍，预估本益比则为13倍，到2026年6月的目标价跟著上修到83元。

2.9倍的股价净值比高于过去十年高点的1.8倍，反映记忆体的超级循环、AI排挤效应、华邦电的产品规格升级等因素。