辉达全新Rubin平台问世，算力与功率规格同步拉升，引爆高压直流（HVDC）需求大开，二极体暨功率元件厂台半（5425）透旗下Super Junction与碳化矽（SiC）MOSFET产品，获得电源大厂采用，大咬辉达Rubin平台大商机。

业界指出，AI资料中心功耗快速攀升、电力系统加速由传统AC架构转向HVDC，使得功率半导体需求出现结构性成长。

台半看好上述趋势，积极强化中高压与第三代半导体布局，旗下Super Junction与碳化矽MOSFET陆续打入电源大厂供应链，预计今年将放量出货，推升营运动能。法人预期，台半今年营收可望年增一成以上。

业界指出，新一代AI伺服器与机柜功耗动辄突破200kW，未来甚至挑战600kW，为降低多次AC／DC转换造成的能源损耗，资料中心电力系统正加速导入HVDC架构。从高压电力进入资料中心，到配电系统与机柜电源模组，均需大量高效率、高耐压功率元件，带动中高压MOSFET、Super Junction与第三代半导体需求快速升温。

台半因应电力架构翻转趋势，近年持续调整产品结构，由过去主力40V至60V MOSFET，推进至80V至100V MOSFET，并切入AI电源应用所需的Super Junction MOSFET，同时布局碳化矽650V至1200V产品线。

法人表示，台半部分中高压与碳化矽产品已取得客户认证，并陆续送样切入电源供应链，今年起将逐步出货，为公司开启切入AI电源市场关键。

除AI资料中心应用，台半长年深耕车用与工控市场，产品涵盖车用电子、充电桩、储能系统与工业设备。法人认为，先前受欧美市场保守拉货与总经环境影响，台半营运承压，随车用与工控库存逐步去化、回到健康水准，台半车用业务已走出谷底，功率元件出货回升，高毛利产品营收占比将快速提升。

从产品线来看，台半除持续放量40V MOSFET之外，60V MOSFET亦已进入量产阶段；在高压防护元件方面，650V TVS二极体已完成开发并开始放量，并正推进1000V TVS产品，锁定充电桩与高压电力应用。随高毛利产品比重提高，法人看好台半2026年营收、获利有机会高双位数成长。