富采（3714）昨（19）日宣布，与德国ALLOS Semiconductors缔结策略合作，携手推动8吋矽基氮化镓LED磊晶片（GaN-on-Si LED epitaxial wafer）量产，加速MicroLED于AR等更多高整合显示器应用发展。
ALLOS Semiconductorstors是德国知识产权许可公司，定位为「适用于LED、电源和射频应用的矽基氮化镓基板技术的领先供应商」。富采拥有全球领先的高阶LED磊晶制造技术与产能，这项合作象征MicroLED产业供应链共同迈向更加成熟的重要里程碑。
富采表示，与ALLOS携手开发GaN-on-Si LED磊晶片，结合富采在LED结构上的深厚技术与ALLOS矽基氮化镓缓冲结构技术，不仅亮度与能效可比美传统蓝宝石基板成长的氮化镓LED，更透过磊晶片尺寸扩大至8吋以上，大幅提升单片产出面积与制程效率。
此外，其超小像素间距可满足近眼显示的高解析需求，并具备高度矽晶圆制程相容性与量产可行性。
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