广闳科（6693）搭上辉达「电力大革命」引爆的高压直流（HVDC）大商机，旗下高中低压MOSFET产品获电源大厂采用，打入当红的HVDC供应链，部分订单能见度直达年底。
法人看好，随著AI资料中心电源架构加速升级，广闳科相关产品出货放量，今年营收可望续创新高，年增双位数百分比。
业界分析，随著AI伺服器功耗快速拉升，资料中心正从传统交流电与低压直流配电，逐步转向400V、800V等HVDC新架构，相较现行48V、54V低压直流汇流排需以大电流与粗铜线输电，导致热损耗与效率瓶颈，HVDC透过提高电压、降低电流，可大幅减少传输损耗、提升能源效率，并改善散热与布线问题，被视为AI资料中心电力系统的结构性升级。
在HVDC架构下，功率元件的耐压能力、可靠度与效率要求全面提升，带动高中低压MOSFET与碳化矽（SiC）元件需求快速成长。
广闳科表示，该公司已布局高压650V SiC Diode与MOSFET，可因应400VDC规格，并同步开发1200V SiC元件，对应未来800VDC电源架构，相关产品已导入客户端进行验证，为后续放量奠定基础。
广闳科同步卡位HVDC分层降压环节，推出48V架构所需的80至100V MOSFET，以及12V端的30至40V低阻抗高电流MOSFET，完整对应AI伺服器从高压输电、机柜配电到板端供电的多段电力转换需求。
法人补充，广闳科产品线横跨高、中、低压，有助其在新电源架构中争取更多设计导入机会。
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