摩根大通（小摩）于近期「全球记忆体产业」报告中指出，随人工智慧（AI）持续畅旺，推论用的存储需求将持续提高，预估未来三年NAND记忆体整体潜在市场将进入快速成长，台厂中较为看好华邦电（2344），重申「优于大盘」的评等，而南亚科则维持中立。

小摩指出，就长期趋势来看，NAND市场正处于增长加速期。过去25年，尽管位元需求增长因终端应用成熟而放缓，但平均售价（ASP）降幅减慢抵消这利空。

小摩认为，NAND受企业级固态硬碟（eSSD）需求激增驱动，未来三年的市场总量年复合成长率（CAGR）预计将从过去的10%提升至30%以上；且目前NAND的单位经济效益正处于改善轨道。预计每片晶圆产生的NAND营收将从 2025年的5.5万美元稳步上升至2027年的10.2万美元。

随著AI推论带动储存需求，eSSD消耗量快速上升。预测eSSD位元需求在2025至2028年间的年复合成长率将达49%，到2028年将占NAND位元需求的53%。

另一点则是新的技术方法将KV快取从GPU／HBM转移到储存装置，进一步推动高效能eSSD的内容增长；加上由于传统硬碟（HDD）供应紧张，QLC技术使eSSD在成本和能效上更具竞争力，数据中心正加速采用QLC eSSD取代HDD。

最后，小摩表示，目前主要供应商正将更多生产空间分配给DRAM，导致NAND的实质产能份额下降，供给更趋理性。

高频宽快闪记忆体（HBF）方面，虽处于概念验证阶段，但若HBF在2028年后成功商业化，将成为解决「记忆体墙」问题的潜在方案。