台积电（2330）2奈米制程于2025年第4季进入量产，采用成熟制造整合能力及分阶段导入策略，实现稳定量产并维持技术领先，法人看好，中砂（1560）、升阳半导体（8028）、新应材（4749）等三档供应链可望受惠。

投顾法人分析，台积电2奈米导入nanosheet GAA电晶体，将先进制程由FinFET转向四面闸极结构，突破3奈米以下电性控制极限。GAA透过全包覆channel 明显改善leakage、short-channel effect及低电压操作能力，并提供更佳效能与功耗表现，成为2奈米以下主流技术。

相较FinFET，nanosheet具备更高设计弹性与性能平衡，但制造整合复杂度大幅提升，涵盖蚀刻、沉积、接触电阻、变异控制及热管理等挑战。法人表示，N2 相较N3E可提升10%至15%效能或降低25%至30%功耗，并提高密度逾15%，显示GAA为先进节点关键技术，并强化整体系统效能与功耗优势表现。

虽然竞争对手南韩三星（Samsung）及美国英特尔（Intel）都已推进post-FinFET架构，但两家公司策略有所不同。其中，三星最早于商业节点导入GAA，2022年即宣布3奈米量产，并以MBCFET强调电性及能效优势，但量产良率及客户采用未同步，至2026年仍仅约40%至45%，显示制程稳定度与商业化成熟度不足。

英特尔则于18A同时导入RibbonFET及PowerVia，强调效能与供电优化，但属过渡设计，未能弥补PPA及良率落差，Panther Lake表现亦落后台积电3奈米。

展望未来，法人认为，先进制程竞争正由单点技术转向平台整合，GAA解决的是2奈米以下的transistor electrostatics问题，但之后仍有供电、互连、热管理及封装整合等更高阶瓶颈。

英特尔将RibbonFET及PowerVia同时推上18A，代表押注整体平台跃升；三星虽最早导入GAA，但量产成熟度提升速度不如预期；台积电以2奈米先完成GAA导入，再以A16处理backside power，则是分步降低整合风险，目前2奈米良率佳，且仍预期A16将在2026下半年量产，最为稳健且成功率最高。