文/赖建承CSIA
受惠AI、高速运算(HPC)需求,推升先进封装热潮,先进封装技术分为扇出型封装(fan-out)与扇入型封装(fan-in),其中扇出型封装可实现更高电晶体密度,因此市场潜力甚巨。此外,扇出型封装又分为晶圆级扇出型(FOWLP)及面板级扇出型(FOPLP),日前AI晶片龙头辉达表示,最快今年导入面板级扇出型封装,借此缓解CoWoS先进封装产能吃紧问题,FOPLP有望成为下一世代AI晶片封装的重要解方。
近期市场点名群创(3481)布局多年的扇出型面板封装正式进入收割期,更传出群创FOPLP已打入SpaceX供应链,并可能与台积电于龙潭厂合作布局AI与HPC相关封装应用,股价因此大涨,但目前公司获利面尚未有起色,股价的上涨仍先以题材视之,而切入面板级扇出型封装多年的力成(6239),反而是另一个焦点。
力成FOPLP良率已达95%
面板级扇出型封装(FOPLP)最大优势在于可透过大尺寸面板制程,提高封装效率并降低成本,尤其适合AI GPU、高速运算与大型晶片封装需求。由于面板级扇出型封装不用传统载板材料,让封装成本降低、厚度变薄,晶片产品更吸引人,在辉达宣布导入后,英特尔、超微等也将加入,早在2018年就高喊此技术的力成(6239)可望成为最大受惠者。
力成持续推进扇出型面板级封装(FOPLP)、Through-Silicon Via(TSV)与Bumping等技术,其中FOPLP良率目前已达95%,预计下半年启动客户验证,规划于2027年进入量产程序。此外,同时加速矽光子与共同封装光学(CPO)相关整合测试,经由TSV与Bumping技术整合光学引擎,已完成工程验证并规划今年底前启动量产前准备,规划在2027至2028年间布局。
力成EPS估12.3元,本益比18倍
力成将2026年资本支出上修至500亿元,较原先规划增加约25%,主要用于FOPLP厂务工程与设备添购、提升高阶测试(TeraPower)产能,及投入矽光子与CPO相关设备布局。随著记忆体的火红,第二季起对逻辑与记忆体等产品线全面调涨报价,预期价格调整将逐季反映于获利表现。
力成第一季逻辑产品占比43%,NAND与DRAM分别占26%与20%,系统单晶片占11%,单季获利18.44亿,EPS2.5元,全年EPS估12.3元,本益比仅18倍。近期虽然法人调节,但千张大户止跌回升达66.36%,显示筹码逐步集中,加上MACD在零轴以上,日KD与周KD均自低档交叉向上,月线不失守多头可期。(编按:外资5/15买超15,570张,终止连六卖)
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