文.洪宝山
DRAM价格在2020年COVID-19疫情爆发前,处在3美元附近震荡,即使当年的3月到6月爆发全球性的封城事件,DDR4 8Gb的价格也不过是涨到3.5美元,甚至2020年下半年还拉回到3美元以下,直到2021年全球供应链发生瓶颈,2021年7月之前价格从低于3美元一路涨破5美元,之后就进入到盘跌走势,一路走跌到2023年7月的1.5美元附近才止跌。
传统旺季已连续第五年不旺 AI功能升级换机潮迟早会来
两年的去库存让厂商不敢对今年的传统旺季太过乐观,加上美中两强都陷入消费降级的阴霾,整体消费力道复苏缓慢,厂商回补库存的力道也相对谨慎,以至于今年9月的DDR4 8Gb的价格也不过是1.72美元。从这点来看,便可知道今年第三季的传统旺季是连续第五年的不旺。
但消费端的需求有待提振,这点倒也还能理解,因为AI PC与AI手机是第一年推出,大多数的消费者并不急于换机,等待更多的AI商用应用成熟后再换机,这在过往的新机世代更迭的过程中可以看到类似的轨迹,所以不管是厂商或是股市对于AI PC与AI手机的换机潮的预期并没有出现很大的落差,因为大家都知道,总有那么一天,大多数的个人电子装置都将具备AI功能,换机潮迟早会来。
商用会比消费性换机潮先来 辉达营收连续五季翻倍成长
从过往的经验得知,商用的换机潮会比消费性换机潮先发生,这次生成式AI所带动的北美CSP的AI基础建设也是如此,单单是今年2月所公布的数据来看,亚马逊、微软、谷歌与Meta等四大CSP的今年资本支出总和就达到2271.8亿美元,推动辉达的营收连续五季度的翻倍成长。
而AI伺服器并不只受惠辉达的GPU,还需要SK海力士的HBM高频宽记忆体的搭配,HBM之所以被发明,来自于晶片商希望能将记忆体和处理器,包含CPU和GPU,全都包在一颗IC中。如此一来,记忆体与处理器的距离变得比之前近很多,效能得以大幅提升,虽然AI伺服器所需要的记忆体量,是传统伺服器的五到六倍。
但是HBM与一般DRAM之间并不存在取代关系,而是因为应用需求的不同,衍生出的技术,所以之前有声音认为HBM产能吃紧,对DDR系列的价格有帮助,经过第三季传统旺季之后,这样的声音已经不存在了。
HBM之所以产能吃紧,不单是需求旺盛,更重要的是良率不高,关键在于采用矽穿孔(TSV)取代传统封装的导线架,由于矽穿孔仅略大于细菌尺寸,要将每一片DRAM晶圆叠齐后再做切割,不仅切的时候也不能移位,还要精准对齐矽穿孔,才能导电,因此要求非常精细的技术,所以良率提升不明显,据传台积电正在研究解决方案,或用雷射取代。
客制化低功耗HBM良率不高 目前HBM3海力士市占逾九成
9月13日南韩公布八月份ICT进出口统计数据显示,受惠于HBM等高附加价值的产品需求增加,八月份半导体出口量较去年同期成长37.6%,2024年能够生产HBM的厂商仅三家,分别为SK海力士约有52%的市占率,三星占42.4%,美光约5%。若以现阶段主流产品HBM3产品来看,目前SK海力士于HBM3市场比重超过九成。
随著HBM堆叠层数的增加,技术要求也相对提高,这对于SK海力士、三星与美光来说是件好事。不过,在生成式AI趋势一片看好的环境下,9月15日大摩跳出来看空记忆体产业,主要的观点在于IT产业的疲软,除了AI伺服器之外,PC与智慧型手机的需求长期停滞,拖累了半导体产业。
大摩预期2025年初开始,DRAM价格将下跌并导致记忆体产业的不景气,预估SK海力士DRAM平均售价将在2025年下跌7.7%,到2026年下降25%。此外,大摩还预测HBM将出现供过于求的情况。
若HBM产能吃紧DRAM需求恢复 DRAM获利能力可能超越HBM
对此,SK海力士持不同的观点:「过去投资增加可能会引发供给过剩的担忧,但考虑到HBM的晶圆尺寸跟较低的生产效率,市场的结构性和量产特性与DRAM不同,不能够简单的用投资增加等于供给过剩的逻辑来看待。根据客户的要求,HBM3e每年需要改善性能,如果将晶片堆叠层数从八层提升到十二层,生产的效率将进一步受限制。而在HBM4之前的晶片堆叠只是为了连接GPU与DRAM产生作用,但从2026年进入HBM4世代开始,它可以客制化客户所需的低功耗等功能,对工艺的要求难度更高,这造成了产量提升的限制。」
SK海力士表示,如果HBM产能吃紧持续,且DRAM的需求加速恢复,那么DRAM的获利能力可能会超越HBM。
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