市场看好DRAM、NAND后市需求，加上AI伺服器带动高频宽记忆体（HBM）与DDR5需求持续升温，资金4日大举回流记忆体族群，盘中华邦电、力积电等多档个股强攻涨停且走强，成为台股电子族群盘面焦点之一。
记忆体族群盘中全面走强，其中力积电盘中攻上涨停60.1元，晶豪科涨停217.5元，华邦电涨停157元，带动南亚科、十铨、力成、旺宏、广颖、群联、宇瞻、威刚、创见等同步走扬，资金持续回流记忆体相关族群。
值得注意的是，铠侠启动大规模库藏股，市场关注的重点并非仅是看好股价表现，更反映NAND产业资本配置模式正出现结构性转变。法人分析，近年主要NAND厂对新增无尘室及晶圆产能投资趋于保守，供给成长主要来自堆叠层数提升、制程升级及既有产线效率改善，而非景气高峰时的大举扩产。
根据法人预估，今年第3季NAND价格可望再季增30%至35%。此外，铠侠与SanDisk采合资生产模式，可共享制造投资、研发成果及产能成本，在此背景下，公司选择将资金投入库藏股，而非全面扩充产能，经营策略已由追求位元出货量与市占率，转向维持供需平衡、优化产品组合及提升资本报酬率。若三星、SK海力士及铠侠持续维持产能纪律，将有助于延长NAND产业景气循环，并支撑价格维持高档。
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