半导体检测大厂闳康（3587）今日公布前三季财报，本业前三季每股税后纯益（EPS） 9.33元 （Non-GAAP），不计上海公司一次性盈余汇回所得税影响数1.85亿元，若加计所得税影响数，EPS为6.68元（GAAP），今年前三季较去年大幅成长2.19倍，整体获利超乎水准。

闳康第3季营运成长主要受惠次世代AI晶片、高频宽记忆体（HBM），矽光子元件成份分析让SA满载，可靠度验证RA亦明显受惠，架构升级全面带动材料分析（MA）及故障分析（FA）需求，加上日本北海道与名古屋等海外实验室业务贡献所致。该公司同步公告10月营收3.38亿元（停业部门另列），年增10.19%，月减1.23%，主因10月假期及台风假致工作天数较少营收略减；1～10月累计营收33.83亿元（停业部门另列），年增16.96%。

随著生成式AI快速发展，资料中心对记忆体频宽与能源效率的要求持续提高，促使高频宽记忆体朝客制化架构发展。近期国际AI晶片大厂积极推动次世代客制化HBM，将部分记忆体控制功能整合至底层基础晶粒（Base Die），以提升传输效率并降低功耗。据悉，相关业者正评估采用晶圆代工龙头3奈米先进制程生产逻辑基础晶粒，再与记忆体大厂采用第六代1c DRAM制程生产的核心晶粒进行垂直堆叠，象征高阶记忆体供应链正朝逻辑晶圆代工与记忆体制造跨厂合作的新模式发展。

然而，逻辑与记忆体制程跨厂、跨节点的异质整合，也使晶片制造面临更高挑战。当3奈米基础晶粒与多层DRAM晶粒进行堆叠时，矽穿孔（TSV）的互连精度、微凸块（Micro-bump）接合界面的孔洞与材料扩散，以及不同材料热膨胀系数造成的应力翘曲，皆可能影响良率。未来随著铜对铜混合键合（Hybrid Bonding）等技术导入，界面缺陷与失效定位难度将进一步提高。尤其跨厂合作一旦发生垂直互连异常或材料缺陷，更需仰赖具备公信力的独立第三方实验室厘清失效原因。

闳康董事长谢咏芬指出，公司长期深耕高阶记忆体材料分析，在分析高阶记忆体的案件中，已累积大量执行深宽比高达180:1之原子层沉积（ALD）镀膜及FIB／TEM检测技术的实务经验，相关技术能力均大幅领先同业。尤其随著3D NAND等高阶记忆体朝更高层数与高密度结构发展，深孔内部薄膜均匀性、材料覆盖率及界面完整性已成为影响良率的关键。闳康透过高深宽比ALD镀膜技术，结合聚焦离子束（FIB）精密截面制样与穿透式电子显微镜（TEM）进行奈米级结构观测，可深入解析深孔侧壁、孔底及多层薄膜界面的微观缺陷，协助客户改善制程良率，并进一步提高高阶检测案件的技术门槛与附加价值。

在HBM及先进封装检测方面，闳康亦具备完整的MA与FA整合分析能力，可透过TEM观测奈米级键合界面、FIB进行失效位置截面制样，并搭配二次离子质谱仪（SIMS）分析材料成分及界面元素扩散，协助客户精准厘清失效原因。随著客制化HBM导入更多逻辑功能，从3奈米基础晶粒制程验证、DRAM垂直堆叠到先进封装互连分析，均将增加高阶MA与FA委外检测需求。

法人表示，AI半导体正朝逻辑与记忆体跨厂整合发展，加上2奈米电晶体由FinFET转向环绕闸极（GAA）架构，材料界面与奈米级缺陷分析难度同步提高。闳康凭借180:1高深宽比ALD镀膜、FIB／TEM技术及多年累积的高阶记忆体分析经验，已接获海外多家大厂的订单；先进制程与HBM及异质整合封装带动的高单价检测商机，进一步优化产品组合，成为未来营收与获利成长的重要动能。