晶圆代工厂力积电（6770）昨（21）日宣布，上周与美光签订合作意向书后，力积电随即展开DRAM制程精进计划，以回应下游记忆体IC设计客户发展容量更高、速度更快DRAM的强劲需求，争取缺货价扬商机。
力积电董事长黄崇仁指出，美光将以预付货款方式，预约力积电的高频宽记忆体（HBM）后段晶圆制造（PWF）产能，将力积电正式纳入其HBM供应链。
业界认为，力积电瞄准的是美光HBM堆叠（Stacking）技术外包，因为力积电过去在CIS累积相当经验，加上也有记忆体与逻辑晶片堆叠的产品蓝图，非常适合切入这个领域。
力积电指出，目前旗下新竹12吋晶圆厂区拥有每月5万片记忆体产能，主要以2x奈米制程为客户提供DRAM、Flash代工服务。由于全球DRAM市场因AI应用爆发，出现长期供不应求趋势，力积电近月以来感受到客户端的强大需求压力，因此决定启动提升记忆体制程的新投资计划。
力积电表示，为争取时效，董事会已于日前针对投资新设备提升DRAM制程的规画通过增资案，配合铜锣厂售予美光、双方策略合作的合约在第2季签订，待力积电今年度股东常会通过后，将根据经营团队的规划尽速展开设备采购作业，将P3厂现有月产逾3万片的DRAM进行生产线的升级。
力积电透露，根据与美光签署的意向书，力积电除了将长期提供美光DRAM后段先进封装代工服务之外，美光也将协助力积电P3厂的DRAM制程精进，这项技术提升计划的快速执行，能让力积电的DRAM代工制程稳健推进。
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