LED大厂富采（3714）挥军光通讯当下最缺的磷化铟（InP）商机，拟循联亚模式，跨入光通讯MOCVD（金属有机化学气相沉积）磊晶供应链，产能可望比联亚多五至十倍，传出已有美国与大陆光通讯大咖上门寻求合作。

富采为全球前三大MOCVD磊晶产能大厂，在Micro LED与AI光通讯领域具备技术先发优势。公司表示，MOCVD及相关磊晶设备确实可通用于光通讯领域，目前集团尚在规划及配置中。

业界指出，由于AI伺服器需求爆发带动800G及CPO架构需求，关键光源材料磷化铟出现结构性缺货。在龙头厂联亚产能供不应求下，传出美国与中国大陆大厂因担忧供应断点，已开始积极寻求与富采合作。

联亚近期搭上光通讯商机，股价飙涨，接连冲破1,000元、2,000元整数关卡，昨天收2,320元、涨5元。随著富采传出有意挥军光通讯磊晶业务，市场关注富采是否具备「联亚第二」的比价效应。

业界观察，富采若能将庞大机台资源弹性调整并转向生产，凭借充足设备与研发实力，现有机台通过验证后，预计释出产能量能可达联亚五至十倍，将成为缓解产能压力的关键。

在技术路径上，业界分析，富采具备开发磷化铟（InP）相关应用之能力，若利用既有机台进行技术优化，可避开新机台长达一年的交期与调校期，大幅缩短开发周期并维持良率。

法人分析，富采转投资的环宇为全力冲刺高阶光通讯市场，已将消费性手机RF业务转由富采旗下精成半导体负责。此举不仅确立富采在化合物半导体代工市场的地位，随多家公司询问代工甚至愿意解决基板问题，后续转单效益将带动其估值水平有望向光通讯族群看齐。

技术布局方面，富采采取CW DFB雷射（InP材料）、VCSEL（砷化镓材料）与Micro LED（氮化镓材料）三大光源并进策略。公司在感测领域已有长年量产经验，现正发挥三五族半导体核心技术，加速切入更高速的光通讯市场，其中VCSEL预期将最快落地。

法人看好，随策略伙伴镎创技术转移至友达集团到位，富采Micro LED产线将更趋完备，极具潜力成为CPO的新一代光源。由于Micro LED具备极低能耗、耐高温及高备援性优势，预期相关应用最快在明年落地。