ＡＩ基础建设从先进运算晶片向高速互连、电源管理及特殊制程扩散。联电强化矽光子与特殊制程布局；世界则受惠资料中心电源管理晶片需求。

【文／吕泰德】

最新预估显示，二○二六年全球ＡＩ伺服器出货量年增率已由原先约二八％上修至接近三一％，主要动能来自大型云端服务业者扩大资本支出与机柜级ＡＩ系统需求升温。随著ＧＰＵ与ＡＩ加速器功耗持续提高，ＡＩ机柜功率密度正快速攀升，以Nvidia GB200 NVL72为例，整柜功耗约120kW，相关基础设施设计已支援约132kW，而下一代平台更朝500kW乃至1MW级机柜演进。

当功率密度跨入数百kW甚至MW级后，既有资料中心从交流供配电、ＵＰＳ与电源供应器，到机柜内48V或54V直流母线，再一路降压至ＧＰＵ核心低电压的供电链，都面临转换效率、铜导体用量、空间占用、散热与瞬时负载管理的新挑战，因此800V高压直流供电正逐步成为下一代超高功率ＡＩ资料中心的重要技术方向。

ＡＩ需求催生成熟浪潮

当ＡＩ伺服器与机柜功率密度提高，从电源转换、稳压到负载端供电，PMIC、MOSFET等功率元件的重要性同步提升，而支撑这些晶片的ＢＣＤ、高压类比等特殊制程的厂商须具备工作电压、转换效率、可靠度、整合能力、成本及长期供货能力。

其中联电的ＢＣＤ制程横跨200mm与300mm晶圆，制程节点涵盖○．五微米至五五奈米，可支援最高200V工作电压，并整合类比、数位与功率元件，应用于DC-DC转换、电池管理与马达驱动等领域。联电二六年第二季合并营收六八七．三亿元，季增十二．六％、年增十七％，毛利率由第一季二九．二％提高至三二．五％；晶圆出货量季增十．六％，带动产能利用率由七九％升至八五％。其中二二／二八奈米占晶圆营收比重由第一季三四％提高至三七％，二二奈米单一制程营收占比更达十七．五％，持续创高。

对成熟制程晶圆代工而言，产能利用率一直是决定获利的重要变数。晶圆厂具有高度资本密集特性，厂房、设备折旧、厂务系统，以及相当部分的工程与间接人力支出，都属固定或半固定成本，因此当产能利用率由七、八成逐步提高至九成附近时，新增晶圆出货可以分摊既有固定成本，单位制造成本下降。

目前，全球前十大晶圆代工厂八吋产能利用率已由二五年约八○％回升至二六年约八八％，下半年预估进一步接近九○％，而晶圆厂也持续将有限产能由部分显示驱动、ＣＩＳ等相对低毛利应用转向PMIC、BCD与功率元件。

联电双轨扩产矽光子

当传输速率持续提高、距离逐步拉长，传统电气互连面临的讯号完整性、功耗与散热压力会愈来愈明显，因此ＡＩ资料中心的高速互连正加快由铜线向光纤延伸。在这一背景下，矽光子成为下一代ＡＩ高速互连的重要半导体技术之一，其核心概念是利用CMOS相容的半导体制造能力，把原本分散的光学功能整合到晶圆上的光子积体电路，也就是ＰＩＣ，借此提高光互连的频宽密度、能源效率与量产能力。

联电已经由技术布局跨入客户产品量产。二六年七月，联电与新加坡矽光子ＩＣ设计公司Silith宣布完成首批量产光子积体电路晶圆交付，产品由联电新加坡十二吋晶圆厂制造，支援Silith的1.6T矽光子平台，主要瞄准ＡＩ及超大规模资料中心高速光互连需求。双方结合Silith的矽光子架构与联电的ＳＯＩ晶圆制造及制程整合能力，约一八个月便将平台由开发阶段推进至量产就绪，且已达到量产等级的良率与可靠度，并取得大型云端基础设施客户认证。

此外，二五年底联电已取得imec的iSiPP300矽光子制程技术授权，准备建立自有十二吋矽光子平台，并规划自二七年起开放客户进行产品开发。联电同时表示，未来将结合矽光子与先进封装技术，支援CPO与Optical I/O等更高整合度的光互连架构。（全文未完）

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